A、本征半導體是一塊沒有雜質和缺陷的半導體

B、本征半導體的費米能級位于禁帶的中線附近

C、本征半導體中導帶電子濃度等于價帶空穴濃度

D、本征半導體的電阻率隨溫度升高而單調下降

B、溫度升高，本征半導體本征激發，產生電子-空穴對，能導電

C、光照增強，本征半導體本征激發，產生電子-空穴對，能導電

D、一定溫度下，本征激發和復合，同時進行，動態平衡時，電子-空穴對為零，不導電

A、本征半導體就是不摻雜的半導體

B、本征半導體中的載流子是由于本征激發產生的

C、本征激發產生的載流子多少只和溫度有關

D、本征激發產生的電子和空穴總是一樣多

A.自由電子數目增多，空穴數目不變

B.自由電子和空穴數目增加相同

C.自由電子數目不變，空穴增多

D.自由電子數目增多，空穴數目減少

A、自由電子個數增加，空穴個數基本不變。

B、空穴個數增加，自由電子個數基本不變。

C、空穴和自由電子的個數都增加，而且它們增加的數量相等。

D、空穴和自由電子的個數均保持不變。

  (A) 本征半導體是電子與空穴兩種載流子同時參與導電，而雜質半導體(n型或p型)只有一種載流子(電子或空穴)參與導電，所以本征半導體導電性能比雜質半導體好

  (B) n型半導體的導電性能優于p型半導體的，因為n型半導體是負電子導電，p型半導體是正離子導電

  (C) n型半導體中雜質原子所形成的局部能級靠近導帶的底部，使局部能級中多余的電子容易被激發躍遷到導帶中去，大大提高了半導體導電性能

  (D) p型半導體的導電機構完全取決于滿帶中空穴的運動

A、（1）對 （2）錯 （3）錯 （4）錯

B、（1）錯 （2）對 （3）錯 （4）錯

C、（1）錯 （2）錯 （3）對 （4）錯

D、（1）錯 （2）錯 （3）錯 （4）對

B.n型半導體的導電性能優于p型半導體，因為n型半導體是負電子導電，p型半導體是正離子導電。

C.n型半導體中雜質原子所形成的能級靠近導帶的底部，使能級中多余的電子容易被激發躍遷到導帶中去，大大提高了半導體導電性能。

D.p型半導體的導電機構完全決定于滿帶中空穴的運動。

A、N型半導體中雜質原子所形成的局部能級靠近空帶(導帶)的底部，使局部能級中多余的電子容易被激發躍遷到空帶中去，大大提高了半導體導電性能。

B、本征半導體是電子與空穴兩種載流子同時參予導電，而雜質半導體(N型或P型)只有一種載流子(電子或空穴)參予導電，所以本征半導體導電性能比雜質半導體好。

C、N型半導體的導電性能優于P型半導體，因為N型半導體是負電子導電，P型半導體是正離子導電。

D、P型半導體的導電機構完全決定于滿帶中空穴的運動。

A、在本征半導體中摻入施主雜質，可以獲得N型半導體，摻雜后電子為多子，空穴為少子；

B、在本征半導體中摻入施主雜質，可以獲得P型半導體，摻雜后電子為多子，空穴為少子；

C、在本征半導體中摻入受主雜質，可以獲得N型半導體，摻雜后空穴為多子，電子為少子；

D、在本征半導體中摻入受主雜質，可以獲得P型半導體，摻雜后電子為多子，空穴為少子。