A.仍然相等
B.不相等
C.隨機(jī)態(tài)
D.自由電子數(shù)量大于空穴數(shù)量
第4題
(A) 本征半導(dǎo)體是電子與空穴兩種載流子同時參與導(dǎo)電,而雜質(zhì)半導(dǎo)體(n型或p型)只有一種載流子(電子或空穴)參與導(dǎo)電,所以本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能比雜質(zhì)半導(dǎo)體好
(B) n型半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能優(yōu)于p型半導(dǎo)體的,因為n型半導(dǎo)體是負(fù)電子導(dǎo)電,p型半導(dǎo)體是正離子導(dǎo)電
(C) n型半導(dǎo)體中雜質(zhì)原子所形成的局部能級靠近導(dǎo)帶的底部,使局部能級中多余的電子容易被激發(fā)躍遷到導(dǎo)帶中去,大大提高了半導(dǎo)體導(dǎo)電性能
(D) p型半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)完全取決于滿帶中空穴的運(yùn)動
第5題
電工學(xué)第七版下冊課后練習(xí)與思考題答案 14.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子和少數(shù)載流子是怎樣產(chǎn)生的?為什么雜質(zhì)半分體中少數(shù)載流子的濃度比本征載流子的濃度小?
第7題
第9題
A、(1)對 (2)錯 (3)錯 (4)錯
B、(1)錯 (2)對 (3)錯 (4)錯
C、(1)錯 (2)錯 (3)對 (4)錯
D、(1)錯 (2)錯 (3)錯 (4)對
為了保護(hù)您的賬號安全,請在“上學(xué)吧”公眾號進(jìn)行驗證,點(diǎn)擊“官網(wǎng)服務(wù)”-“賬號驗證”后輸入驗證碼“”完成驗證,驗證成功后方可繼續(xù)查看答案!