看懂下面的零件圖，下列說法正確的有（)。 [圖]A、F30軸...
看懂下面的零件圖，下列說法正確的有()。
A、F30軸段無精度要求
B、
是幾何公差，被測要素是中間F25的圓柱面素線，基準是左端F20和右端F25的圓柱公共軸線。
C、圖中表面結構要求最高的表面粗糙度的數值是6.3
D、下面兩個圖形為移出斷面，表達了鍵槽的寬度和深度及其表面結構要求等
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第1題
看懂下面的零件圖，下列說法正確的有( )。
A、該零件的結構表達清晰、完整
B、是幾何公差，被測要素是中間F25的圓柱面素線，基準是左端F20和右端F25的圓柱公共軸線。
C、圖中表面結構要求最高的表面粗糙度的數值是6.3
D、下面兩個圖形為移出斷面，表達了鍵槽的寬度和深度及其表面結構要求等
第2題
看懂拔叉零件圖，下列說法正確的有（ ）。
A、拔叉長度基準為其左右對稱面；寬度基準為B；高度基準為C
B、基準C為F17的軸線
C、除工藝圓角、倒角外，創建拔叉三維模型最少需要4個特征。
D、F35、F58的尺寸應該改為標注半徑值
第3題
看懂下面的物體，下列說法正確的是（ ）。
A、(1)F10注法錯誤；
B、（2）10是多余尺寸；
C、（3）寬度方向只有一個基準
D、（4）圖中尺寸無誤。
第4題
看懂下面的物體，下列說法正確的是（ ）。
A、F25注法錯誤
B、應該去掉47，再標注從最前到最后的總寬54
C、高度方向有三個基準——底面、F25的中心線和底板上表面
D、F20、R5注法正確
第5題
看懂圖示的托架的零件圖，說法正確的有（ ）
A、三處紅色線是過渡線
B、過渡線應畫成粗實線，圖中畫法是錯誤的。
C、圖中F26沒有公差是錯誤的
D、圖中F30沒有公差是錯誤的
第6題
看懂物體，想想構造過程，下列說法正確的有（ ）。
A、左右通槽可以采用15x14的矩形為特征草圖，用拉伸減創建
B、兩個孔均為貫通孔
C、可以分別創建空心圓筒F60xF36x70與F36xF20x70，然后求并集得到主體結構
D、肋板可以用加強筋的方法創建；加強筋的草圖可以是非封閉線框
第7題
有關尺寸
說法正確的有（）
A、孔的尺寸
B、軸的尺寸
C、該尺寸一定標注在零件圖上
D、該尺寸一定標注在裝配圖上
E、H表示孔 的基本偏差代號
F、H8表示軸的公差帶代號
G、8表示公差等級
第8題
設
下列說法正確的是
A、
在
處不可導
B、
在
處可導且
C、
是
的第一類間斷點
D、
在
處連續但不可導
E、
在
處可導
F、
在
處連續
G、
在
處連續但不可導
第9題
如圖所示，下列說法正確的有：
A、這是耗盡型MOSFET的輸出特性曲線，其中A區為飽和區，B區為線性放大區
B、這是耗盡型MOSFET的轉移特性曲線，其中A區為飽和區，B區為線性放大區。
C、這是增強型MOSFET的輸出特性曲線，其中A區為可變電阻區，B區為飽和區。
D、這是增強型MOSFET的轉移特性曲線，其中A區為可變電阻區，B區為恒流區。
E、這是耗盡型MOSFET的輸出特性曲線，其中C區為截止區，D區為擊穿區。
F、這是增強型MOSFET的輸出特性曲線，其中C區為截止區，D區為擊穿區。
G、這是增強型MOSFET的輸出特性曲線，其中C區為擊穿區，D區為截止區。
H、這是耗盡型MOSFET的轉移特性曲線，其中C區為截止區，D區為擊穿區。
I、這是增強型MOSFET的輸出特性曲線，其中A區為可變電阻區，B區為恒流區。
第10題
如圖所示，下列說法正確的有：
A、這是耗盡型MOSFET的輸出特性曲線，其中A區為飽和區，B區為線性工作區
B、這是耗盡型MOSFET的轉移特性曲線，其中A區為飽和區，B區為線性工作區。
C、這是增強型MOSFET的輸出特性曲線，其中A區為可變電阻區，B區為飽和區。
D、這是增強型MOSFET的轉移特性曲線，其中A區為可變電阻區，B區為恒流區。
E、這是耗盡型MOSFET的輸出特性曲線，其中C區為截止區，D區為擊穿區。
F、這是增強型MOSFET的輸出特性曲線，其中C區為截止區，D區為擊穿區。
G、這是增強型MOSFET的輸出特性曲線，其中C區為擊穿區，D區為截止區。
H、這是耗盡型MOSFET的轉移特性曲線，其中C區為截止區，D區為擊穿區。
I、這是增強型MOSFET的輸出特性曲線，其中A區為可變電阻區，B區為線性放大區。
