如圖2l—2所示，一個電量為q的點電荷，以勻角速度w做圓周運動，圓周的半徑為R．設t=0時該點電荷位于x0=R，y0=0處，以i、j分別表示X軸和y軸上的單位矢量，則圓心O處的位移電流密度為[ ]．

A．

B．

C．

D．

已知在圖a中電流i(t)的波形如圖c所示，且知在t=0_-時有q⁽²⁾(0_-)=-2c(即已有-2C電荷通過)，試計算t≥0后的電荷q(t)，并畫出其波形。

  

一塊半導體樣品的體積為a*b*c，如本題圖所示，沿x方向有電流I，在z軸方向加有均勻磁場B。實驗數據為a=0.10cm，b=0.35cm，c=1.0cm，I=1.0mA，B=3000Gs，片兩側的電勢差UAA'=6.55mV。

(1)問這半導體是正電荷導電(P型)還是負電荷導電(N型)?

(2)求載流子濃度(即單位體積內參加導電的帶電粒子數)。

一段直流電路如圖所示，已知U=2V，在4s內該段電路吸收電能量w=8J，試確定在該時段內自a端移到b端的電荷量q，以及電流I值。

  

如習題5.16圖所示,塊半導體樣品的體積為axbxc,沿x方向有電流I,在z軸方向加有均勻磁場B.已知a=0.10cm,b=0.35cm,c=1.0cm,I=1.0mA.,B=3000G,其兩側的電勢差的實驗結果為U_AA`=6.5mV.

(I)問這半導體是正電荷導電(p型)還是負電荷導電(n型)?

(2)求載流子濃度(即單位體積內參加導電的帶電粒子數).

如圖 7-44所示，一塊半導體樣品的體積為a×b×c。沿c方向有電流I,沿厚度a邊方向加有均勻外磁場B(B的方向和樣品中電流密度方向垂直)。若實測得出沿b邊兩側的電勢差為V且上表面電勢商:

(1)問這半導體是P型(正電荷導電)還是N型(負電荷導電)?

(2)求載流子濃度no(即單位體積內參加導電的帶電粒子數)。

如圖18.6所示，一塊半導體樣品的體積為aXbXc,沿x方向有電流I ,在z軸方向加有均勻磁場B。這時實驗得出的數據a=0. 10 cm,b=p0. 35 cm,c=1.0 crm,I= 1.0 mA,B=3000 G,片兩側的電勢差UAN=6.55 mV。

(I)這半導體是正電荷導電(P型)還是負電荷導電(N型)?

(2)求載流子濃度。

如圖所示，螺繞環A中充滿了鐵磁質．管的截面積S為2.0cm²，沿環每厘米繞有100匝線圈，通有電流I₁=4.0×10^-2A，在環上再繞一線圈C，共10匝，其電阻為0.10Ω，今將電鍵S突然開啟，測得線圈C中的感應電荷為2.0×10^-3C．求：當螺繞環中通有電流I₁時，鐵磁質中的B和鐵磁質的相對磁導率μ_r．

  

如圖所示，螺繞環A中充滿了鐵磁質，管的截面積S為2.0cm²，沿環每厘米繞有100匝線圈，通有電流I₁=4.0×10^-2A。在環上再繞一線圈C，共10匝，其電阻為0.10Ω，今將電鍵S突然開啟，測得線圈C中的感應電荷為2.0×10^-3C。求：當螺繞環中通有電流I₁時，鐵磁質中的B和鐵磁質的相對磁導率μ_r。